近日，中微公司(688012)宣布其刻蝕設備系列迎來(lái)又一里程碑：Primo Menova12寸金屬刻蝕設備全球首臺機順利付運國內一家重要集成電路研發(fā)設計及制造服務(wù)商。

　　中微公司資深副總裁叢海表示：“中微公司開(kāi)發(fā)的一系列刻蝕設備在性能、穩定性等方面滿(mǎn)足了客戶(hù)的高標準要求，并可覆蓋國內大多數的刻蝕應用需求。中微公司持續踐行‘五個(gè)十大’的企業(yè)文化，將產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的十大原則始終貫穿于產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、設計和制造的全過(guò)程，秉持為達到設備高性能和客戶(hù)嚴格要求而開(kāi)發(fā)的理念，堅持技術(shù)創(chuàng )新、設備差異化和知識產(chǎn)權保護。隨著(zhù)新應用的進(jìn)一步拓展，我們將繼續推進(jìn)與客戶(hù)的密切合作交流，通過(guò)技術(shù)領(lǐng)域的持續創(chuàng )新，不斷為客戶(hù)提供極具競爭力的產(chǎn)品和解決方案，實(shí)現穩步發(fā)展與深度共贏(yíng)�！�

　　據介紹，中微公司的12英寸ICP單腔刻蝕設備Primo Menova專(zhuān)注于金屬刻蝕，尤其擅長(cháng)于金屬Al線(xiàn)、Al塊的刻蝕，可廣泛應用于功率半導體、存儲器件和先進(jìn)邏輯芯片的制造，是晶圓廠(chǎng)金屬化工藝主要設備之一。Primo Menova基于中微量產(chǎn)的ICP刻蝕產(chǎn)品Primo Nanova研發(fā)制造，秉承了優(yōu)異的刻蝕均一性控制，可達到高速率、高選擇比及低底層介質(zhì)損傷等刻蝕性能。Primo Menova搭配高效率腔體清潔工藝，可減少腔室污染，延長(cháng)腔體持續運行時(shí)間。并且，Primo Menova系統還集成了配備高溫水蒸氣的除膠腔室(strip chamber)，高效去除金屬刻蝕后晶圓表面殘留光刻膠及副產(chǎn)物。Primo Menova和除膠腔體可根據客戶(hù)工藝需求靈活搭配，最大程度滿(mǎn)足客戶(hù)高生產(chǎn)效率的要求，確保機臺在高負荷生產(chǎn)中的穩定性與良率。

　　定期報告顯示，中微公司的等離子體刻蝕設備已應用在國際一線(xiàn)客戶(hù)從65納米到14納米、7納米和5納米及其他先進(jìn)的集成電路加工制造生產(chǎn)線(xiàn)及先進(jìn)存儲、先進(jìn)封裝生產(chǎn)線(xiàn)。公司的CCP電容性高能等離子體刻蝕機和ICP電感性低能等離子體刻蝕機可覆蓋國內95%以上的刻蝕應用需求，在性能優(yōu)秀、穩定性高等方面滿(mǎn)足了客戶(hù)先進(jìn)制程中各類(lèi)嚴苛要求。截至2024年年底，公司累計已有超過(guò)6000臺等離子體刻蝕和化學(xué)薄膜設備的反應臺，在國內外137條生產(chǎn)線(xiàn)實(shí)現量產(chǎn)和大規模重復性銷(xiāo)售。

　　研發(fā)方面，根據市場(chǎng)及客戶(hù)需求，公司顯著(zhù)加大研發(fā)力度，目前在研項目涵蓋六大類(lèi)、超過(guò)二十款新設備的開(kāi)發(fā)。2024年公司研發(fā)總投入達到24.5億元，比2023年增加了94.3%，占營(yíng)業(yè)收入比例約為27%，遠高于科創(chuàng )板上市公司平均研發(fā)投入占收入比例的10%到15%。

　　另外，公司研發(fā)新產(chǎn)品的速度顯著(zhù)加快。在5月27日的2025年第一季度業(yè)績(jì)說(shuō)明會(huì )上，中微公司董事長(cháng)、總經(jīng)理尹志堯談及當前新產(chǎn)品研發(fā)效率時(shí)闡述：“經(jīng)過(guò)20多年的努力，公司已組建了超過(guò)千人的研發(fā)團隊，并且十分全面。十年前，我們一般需要三到五年來(lái)開(kāi)發(fā)一個(gè)新產(chǎn)品，然后再花兩年時(shí)間進(jìn)入市場(chǎng)。比如，MOCVD是從2010年開(kāi)始研發(fā)，2017年才進(jìn)入市場(chǎng)。從最新產(chǎn)品信息來(lái)看，現在我們只需要大約18個(gè)月，最多兩年就能完成新品研發(fā)，半年到一年就可以量產(chǎn)并進(jìn)入市場(chǎng)。隨著(zhù)速度加快，公司研發(fā)產(chǎn)品的數量亦在增加�！�